- Sections
- G - Physique
- G11C - Mémoires statiques
- G11C 11/403 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c. à d. rafraîchissement externe
Détention brevets de la classe G11C 11/403
Brevets de cette classe: 134
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
37 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
25 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
11 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
9 |
| Rambus Inc. | 2314 |
5 |
| Bar-Ilan University | 405 |
5 |
| Intel Corporation | 45621 |
3 |
| Fujitsu Limited | 19265 |
3 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
2 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
2 |
| MOSAID Technologies Incorporated | 606 |
2 |
| Marvell Asia PTE, Ltd. | 6841 |
2 |
| Cavium International | 5549 |
2 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4732 |
2 |
| Qualcomm Incorporated | 76576 |
1 |
| NEC Corporation | 32703 |
1 |
| Toshiba Corporation | 12017 |
1 |
| Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 4724 |
1 |
| Hewlett-Packard Development Company, L.P. | 28538 |
1 |
| Industrial Technology Research Institute | 4898 |
1 |
| Autres propriétaires | 18 |